Asumiendo el punto de interés es la potencia MOSFETS y no las pequeñas señales MOSFET y silicio (lo contrario a SIC, GAN).
Hay que estar atentos que algunos IGBT drivers también tienen la opción de desactivar la tensión (para que los cambios sean más rápidos).
La primera característica que tenemos que chequear es la tensión de salida. Para los dispositivos de potencia deben de ser 0V a 12-15V (acpl-312T) para atender a los umbrales de puerta alrededor 4V (Además de ser capaz de conducir a 15V Si activación de miller es una preocupación).
Tal como un Driver MOSFET conduciendo un IGBT e igualmente un driver IGBT conducir un MOSFET debe de estar bien.
La siguiente característica debe tener una corriente máxima. IGBT tendrá significantemente una mayor capacidad de puerta y como tal requiere mayores corrientes de pico para asegurar que el dispositivo se satura tan rápido como sea posible. Lo contrario a esto sería que los MOSFETS se puedan cambiar más rápido y como tal la actual demanda de rms de conducir un MOSFET podría ser más alta.
La corriente más alta o cambios más altos de frecuencia afecta la potencia de la capacidad de los Drivers.