Mitsubishi IGBT Module CM400DY1-12E

CM400DY1-12E is a product code for a dual IGBT module (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation, a Japanese multinational electronics and electrical equipment company.

The module is designed for use in high-power applications such as motor drives, power supplies, and industrial automation. It contains two IGBT power switches and two anti-parallel diodes in a half-bridge configuration, all of which are insulated from the heat sink.

The CM400DY1-12E module has a maximum collector-emitter voltage of 1200V, a maximum collector current of 400A, and a maximum power dissipation of 1080W. It operates at a frequency range of up to 20kHz and has a low inductance design for high switching speed.

The module has a compact and robust design with a weight of 380g and dimensions of 100mm x 62mm x 17.2mm. It also has a built-in temperature sensor for monitoring and protection against overheating.

Overall, the CM400DY1-12E module is a high-performance and reliable solution for high-power applications that require efficient and precise power conversion. It is suitable for use in a wide range of industrial and commercial applications where high power density, fast switching, and high reliability are required.

Usage of CM400DY1-12E in Variable Frequency Drives – SPANISH

Mitsubishi ha puesto en marcha un módulo de puerta aislada transistor bipolar (IGBT), El CM400DY1-12E, principalmente para el uso en el control motor AC / DC y fuentes de alimentación conmutadas. Gran velocidad de conmutación es necesaria para el funcionamiento  del  modo PWM VFD que se puede lograr mediante el uso del CM400DY1-12E. Un variador de frecuencia IGBT que  puede encender y funcionar en menos de 400 nanosegundos y se apaga en aproximadamente 500 nanosegundos.

 

Todos los variadores de frecuencia recientes utilizan CM400DY1-12E como dispositivo de poder. Este dispositivo hace que sea posible para minimizar el ruido audible molesto mediante el uso de frecuencias de conmutación más allá de la gama audible. Por desgracia, variadores de frecuencia que utilizan los modulos IGBT, presentan un alto potencial de generación de RFI – Interferencia de radiofrecuencia. conmutación rápida en estos dispositivos genera formas de onda de bordes afilados con componentes de alta frecuencia que generan más RFI.

 

Descripción del producto:

 

Los IGBT de potencia Módulo de potencia del transistor, 400 amperios, 600 voltios. TIPO 400A 600V 2U Módulos IGBT transistor de potencia ALTA POTENCIA AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN

 

Presupuesto

100 amperios, 600 voltios, TRANSISTOR DE POTENCIA

Ficha de datos

Marca

Mitsubishi

Las solicitudes de destino

inversores; control de motor de corriente continua; Fuentes de alimentación conmutadas; control de motores de CA

 

Caracteristicas:

 

Módulo IGBT El transistor de potencia